НАВЕРХ
Автор: Мария Есенина

Специалисты создали новое поколение полупроводников из нитрида галлия GaN

Мировое сообщество ученых порадовало общественность очередным открытием. Специалисты создали материал, который основывается на нитриде галлия (GaN). Именно он может стать новым видом полупроводников, которые будут активно использоваться в сфере силовой электроники.

Как сообщает портал FTimes.ru, американские эксперты из нескольких ведущих технологических университетов анонсировали транзисторы на базе GaN, которые смогут значить сократить уровень энергопотребления. Их можно будет использовать не только в специальных центрах по обработке информационных данных, но и в традиционной электрической технике или даже просто в бытовых устройствах.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *